Produktionssystem PlasmaPro 100 Cobra

Das PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE-System nutzt ein induktiv gekoppeltes Plasma mit hoher Dichte, um schnelle Ätzraten zu erzielen. Die Prozessmodule bieten exzellente Einheitlichkeit, hohen Durchsatz, hohe Präzision und beschädigungsarme Prozesse für Wafergrößen bis zu 200 mm und unterstützen eine Reihe von Märkten, darunter GaAs & InP Laser-Optoelektronik, SiC & GaN Leistungselektronik/RF und MEMS & Sensoren. Hohe Ätzrate und hohe Selektivität Ätzen mit geringer Beschädigung und hohe Wiederholbarkeit der Verarbeitung Einzel-Wafer-Load-Lock oder clusterfähig mit bis zu 5 Prozessmodulen Rückseitenkühlung für optimale Temperaturkontrolle Elektrode mit großem Temperaturbereich, -150°C bis 400°C Kompatibel mit allen Wafergrößen bis zu 200 mm Schneller Wechsel zwischen Wafergrößen In-situ-Kammerreinigung und Endpunktbestimmung Übersicht Die Cobra® ICP-Plasmaquelle erzeugt reaktive Spezies mit hoher Dichte bei niedrigem Druck. Die Gleichstromvorspannung des Substrats wird durch einen separaten HF-Generator gesteuert, der eine unabhängige Kontrolle der Radikale und Ionen entsprechend den Prozessanforderungen ermöglicht. Die PlasmaPro 100-Prozessmodule von Oxford Instruments bieten eine 200-mm-Plattform mit Einzelwafer- und Multiwafer-Batchfähigkeit. Die Prozessmodule bieten einen hohen Durchsatz, hohe Präzision und ausgezeichnete Gleichmäßigkeit mit sauberen, glatten vertikalen Profilen und Ätzflächen. Unsere Systeme verfügen über eine breite Installationsbasis in der Großserienfertigung (HVM) mit ausgereiften Prozesslösungen. Merkmale Ermöglicht die Verwendung eines hohen Gasflusses bei gleichzeitig niedrigem Kammerdruck, was breite Prozessfenster für die fortschrittliche Anwendungsentwicklung bietet