Produktionssystem PlasmaPro 100 Estrelas

Die Plattform PlasmaPro 100 Estrelas wurde entwickelt, um totale Flexibilität für Deep Reactive Ion Etching (DRIE)-Anwendungen zu bieten - für eine Vielzahl von Prozessanforderungen in den Märkten für mikroelektromechanische Systeme (MEMS), Advanced Packaging und Nanotechnologie. Der PlasmaPro 100 Estrelas wurde für die Forschung und die Serienproduktion entwickelt und bietet ultimative Flexibilität mit Bosch- und kryogenen Prozessen. Hohe Ätzrate und hohe Selektivität mit Bosch-Prozess Prozesse mit glatten Seitenwänden und hohem Aspektverhältnis Hochgradig anisotropes (vertikales) Profil Niedrige Rate, niedriger Stromverbrauch für Nano-Silizium-Ätzung und Notch-Kontrolle (SOI) Verjüngte Via-Ätzungen Breite Palette von Anwendungen Mechanisches oder elektrostatisches Klemmen (Kompatibilität der Substrate) Verbesserte Reproduzierbarkeit Erhöhte mittlere Zeit zwischen den Reinigungen (MTBC) Übersicht Die DSiE-Technik oder Deep Reactive Ion Etching (DRIE) kombiniert isotrope Siliziumätz- und Passivierungsschritte, um wiederholt anisotrope Profile zu erhalten. Durch den Einsatz einer hochdichten Plasmaquelle und schneller Gaswechsel ermöglicht diese Technik vertikale Profile, glatte Seitenwände und hohe Ätzraten mit hoher Selektivität für Maskierungsmaterialien. Von Prozessen mit glatten Seitenwänden bis hin zu Ätzungen von Hohlräumen mit hohen Raten und Prozessen mit hohem Aspektverhältnis bis hin zu konischen Durchgangsätzungen wurde das PlasmaPro 100 Estrelas entwickelt, um sicherzustellen, dass die breite Palette von Anwendungen in den Bereichen MEMS, Advanced Packaging und Nanotechnologie realisiert werden kann, ohne dass die Kammerhardware gewechselt werden muss. Nano- und Mikrostrukturen können realisiert werden, da die Hardware so konzipiert wurde, dass Bosch™- und Kryo-Ätztechnologien in derselben Kammer ausgeführt werden können.