Produktionssystem PlasmaPro 100 PECVD

Das PlasmaPro 100 PECVD-System wurde speziell für die Herstellung hochwertiger Schichten mit hervorragender Gleichmäßigkeit und Kontrolle der Schichteigenschaften wie Brechungsindex, Spannung, elektrische Eigenschaften und nasschemische Ätzrate entwickelt. Unsere hochmoderne plasmagestützte CVD-Anlage eignet sich für die Passivierung dielektrischer Schichten (z. B. SiO2, SixNy), Siliziumkarbid, amorphes Silizium, die Abscheidung harter Masken und Antireflexionsschichten. Hochwertige Schichten, hoher Durchsatz, hervorragende Gleichmäßigkeit Plasmabeschichtung mit hoher Dichte und niedrigem Druck Ausgezeichnete Kontrolle von Brechungsindex und Spannung Kompatibel mit Wafergrößen bis zu 200 mm Schneller Wechsel zwischen Wafergrößen Niedrige Betriebskosten und einfache Wartungsfreundlichkeit Widerstandsbeheizte Elektroden mit einer Kapazität von 400°C bis 1200°C In-situ-Kammerreinigung und Endpunktbestimmung Übersicht PlasmaPro 100 PECVD bietet eine hervorragende konforme Abscheidung und geringe Partikelbildung aufgrund der gleichmäßigen Elektrodentemperatur und des Duschkopfdesigns in der Elektrode, das die Erzeugung des Plasmas mit HF-Energie ermöglicht. Die hochenergetische, reaktive Plasmaspezies bietet hohe Abscheideraten, um die gewünschte Dicke des Substrats zu erreichen, während der Druck niedrig bleibt. Die Zweifrequenzleistung von 13,56 MHz und 100 kHz, die auf die obere Elektrode angewendet wird, ermöglicht die Spannungssteuerung und die Verdichtung des Films. Merkmale Liefert reaktive Spezies an das Substrat, wobei ein gleichmäßiger Pfad mit hoher Leitfähigkeit durch die Kammer die Verwendung eines hohen Gasflusses ermöglicht, während der Druck niedrig bleibt RF-betriebener Duschkopf mit optimierter Gaszufuhr sorgt für eine gleichmäßige Plasmabehandlung mit LF/RF-Umschaltung und ermöglicht eine präzise Steuerung der Schichtspannung Hohe Pumpleistung ermöglicht breites Prozessdruckfenster