FIB-SEM-Systeme sind zu einem unverzichtbaren Werkzeug für die Charakterisierung und Analyse der neuesten Technologien und Hochleistungsmaterialien im Nanobereich geworden. Die ständig steigende Nachfrage nach ultradünnen TEM-Lamellen ohne Artefakte bei der FIB-Bearbeitung erfordert die besten Technologien in der Ionen- und Elektronenoptik.
Das Hochleistungs-FIB- und hochauflösende SEM-System NX2000 von Hitachi mit seiner einzigartigen Probenausrichtungssteuerung* und Triple-Beam*-Technologie unterstützt die TEM-Probenvorbereitung mit hohem Durchsatz und hoher Qualität für modernste Anwendungen.
* Option
Merkmale
Die kontrastreiche Echtzeit-SEM-Endpunktdetektion ermöglicht eine ultradünne TEM-Probenpräparation von Bauteilen unter 20 nm.
Mikro-Sampling* und ein hochpräziser Positionierungsmechanismus* ermöglichen die Kontrolle der Probenorientierung für Anti-Curtaining-Effekte (ACE-Funktion) und gleichmäßig dicke Lamellen.
Dreistrahlsystem* Dreistrahlkonfiguration für Ga FIB-induzierte Schadensreduzierung.
Spezifikationen
FIB-Säule
Beschleunigungsspannung - 0,5 kV - 30 kV
Strahlstrom - 0,05 pA - 100 nA
FE-SEM-Säule
Beschleunigungsspannung - 0,5 kV - 30 kV
Elektronenquelle - Kaltkathoden-Feldemissionsquelle
Detektor
Standarddetektor - Oberer/unterer SED & BSED
Tisch - X: 0 - 205 mm
Y: 0 - 205 mm
Z: 0 - 10 mm
R: 0 - 360° unendlich
T: -5 - 60°
Sonderzubehör (optional)
Ar/Xe-Ionen 3. Säule
Mikro-Probenahme-System
Multi-Gas-Injektionssystem
Doppeltes Kippsystem
Swing-Funktion (für Ar/Xe-Ionen 3. Säule)
TEM-Probenvorbereitungs-Assistent
Automatische TEM-Probenvorbereitungssoftware
CAD-Navigationssoftware
Software zur Verknüpfung mit Instrumenten zur Fehlerprüfung
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